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深圳大学韩舜副教授来我中心进行报告

发布时间:2024-12-04


2024 12 3 日,深圳大学材料学院韩舜副教授受邀到访我中心,带来了一场题为 高性能非晶态 Ga₂O日盲紫外光探测器的设计、制备及特性研究的学术盛宴。韩舜副教授在超宽禁带半导体材料及深紫外光电器件领域深耕多年,成果丰硕,已在 ACS PhotonicsJMCC 等国际顶尖期刊发表论文 60 余篇,其 H 因子达 18,在学术界享有较高声誉。


报告会上,韩副教授深入分享了其课题组近年来在非晶态 Ga₂Oα-Ga₂O)高性能深紫外光探测器方面的创新性研究成果。他首先介绍了深紫外光探测器的研究背景,详细剖析了 α-Ga₂O相较于 MgZnOAlGaNβ-Ga₂O等其他深紫外探测器材料的独特优势及关键科学问题。针对单一α-Ga₂O材料,课题组成功制备出具有不同微原子分布的 Ag/α-Ga₂O₃/Ag(金属 / 半导体 / 金属)深紫外光电探测器,并对其在不同电压和各类光源下的光响应特性展开系统研究,成功揭示了薄膜中微原子与紫外检测特性的内在联系,明确了深紫外探测器的内部隧穿机制。该器件的响应度高达 208563.56 A/W,处于行业领先地位。在前期研究基础上,课题组进一步探索 α-Ga₂O异质结深紫外光电探测器,确定了 In/ZnO-Ga₂O₃/Ag 器件结构。通过优化 α-Ga₂O生长过程中的氧气浓度,有效提升了其导电能力,从而增强了异质结器件在深紫外区域的响应能力,最终研制出兼具高响应度(2.3×10³ A/W)、高信噪比(10)和快速响应速度(tr = 214 ns)的异质结器件。此次报告内容丰富、数据详实,为我中心相关研究领域的科研人员提供了极具价值的参考与启发,对推动双方在该领域的深入交流与合作具有重要意义。

前来聆听的老师及学生对韩舜副教授生动的报告内容表现出浓厚的兴趣,并在会后积极与韩舜副教授进行了交流。