个人信息：
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姓名：石凯熙 |
性别：女 |
出生年月：1988年8月 |
政治面貌：党员 |
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所属学院：物理学院 |
职称：讲师 |
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办公电话：043185582193 |
邮箱：shikaixi@cust.edu.cn |
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个人网页：无 |
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个人经历：
教育：2008年9月---- 2012年6月，哈尔滨师范大学，物理与电子工程学院， 理学学士
2012年9月---- 2018年6月，东北师范大学，物理学院，理学博士
工作：2021年01月----至今，长春理工大学，物理学院
个人简历：
石凯熙，博士，讲师，主讲《热力学与统计物理》本科生基础课程、《凝聚态前沿》本科生专业选修课程以及《P-N 结特性研究》、《原子层沉积技术》两门实验课程。长期从事二维材料光电子器件的研究，主要涉及信息存储、光电探测、人工智能交叉领域的新型光电子器件，并取得了一定的创新性研究成果。首次通过InP@ZnS-MoS2杂化光电晶体管的自供电光电探测功能实现生物突触的短时可塑性行为，并应用于类脑神经突触仿生模拟。结果发表在《ACS Appl. Mater. Interfaces》一区top期刊。首次在氧化石墨烯基忆阻器中实现了互补型忆阻行为，解决集成电路读写串扰带来的信息可靠性问题。结果发表在电子器件权威杂志《IEEE Electron Device Lett.》。基于缺陷工程技术，发展了利用稀土元素掺杂调控离子迁移势垒，解决忆阻器高密度集成带来的高能耗问题。相关结果发表在《Applied Physics Letters》。主持/参加科研项目11项，其中主持承担吉林省科技厅项目1项，吉林省教育厅科学技术研究项目1项；申报国家发明专利8项，其中授权5项；发表学术论文15篇，其中SCI收录14篇, EI收录1篇。
研究方向：
1、二维异质结合成及其光电性质研究
2、新型晶体管器件制备及光电突触仿生功能研究
完成／在研主要项目：
1. 吉林省科技厅自然科学基金项目，超高响应低维杂化自供电光电探测器及其光忆阻效应研究，2023-01-01至2025-12-31，20万元，在研，主持；
2. 吉林省教育厅科学技术研究项目，基于二硫化钼的超低功耗忆阻器实现及其光电突触仿生功能研究，2021-01-01至2022-12-31，2.5万元，已结题，主持；
代表性论著：
[1] Hui Yang, Zhe Xu, Kaixi Shi*, Jinhua Li*, Zhenfeng Jiang, Yingjiao Zhai, Xuan Fang, and Zhiyang Wang, Ultrafast-Speed MoS2/CuO Photodetector Based on Strongly Coupled Heterojunction[J]. IEEE Electron Device Letters, 2024.
[2] Hui Yang, Ruiqin Luo, Kaixi Shi*, Jinhua Li*, Mingze Xu, Xueying Chu, Yingjiao Zhai, Guannan Qu, and Xuan Fang, Pollution-Free Interface of 2D-MoS2/1D-CuO vdWs Heterojunction for High-Performance Photodetector. Nanotechnology, 2023, 35 (10): 105202.
[3] 王婉玉,石凯熙*,李金华*,楚学影,方铉,匡尚奇,徐国华.MoO3覆盖层对MoS2基光伏型光电探测器性能的影响.物理学报, 2023, 72 (14):214-223.
[4] Kaixi Shi, Jinhua Li*, Youcheng Xiao, Liang Guo*, Xueying Chu, YingjiaoZhai, Beilong Zhang, Dongxiao Lu, and Federico Rosei*, High-Response, Ultrafast-Speed, and Self-Powered Photodetection Achieved in InP@ZnS-MoS2 Phototransistors with Interdigitated Pt Electrodes. ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12 (28), 31382-31391.
[5] Kaixi Shi, Zhongqiang Wang, Haiyang Xu*, Zhe Xu, Xiaoning Zhao, Weizhen Liu, Guochun Yang and Yichun Liu, Complementary Resistive Switching Observed in Graphene Oxide-based Memory Device. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39 (4), 488-491.
[6] 石凯熙, 姜振峰, 李亚妮, 李金华*, 李静. P-N结光电子器件：科研创新与教学融合.物理实验,2024. 44 (9), 27-32.
[7] Kaixi Shi, Haiyang Xu*, Zhongqiang Wang*, Xiaoning Zhao, Weizhen Liu, Jiangang Ma, and Yichun Liu, Improved Performance of Ta2O5-x Resistive Switching Memory by Gd-doping: Ultralow Power Operation, Good Data Retention and Multilevel Storage. Applied Physics Letters, 2017, 111 (22), 223505.
授权发明专利：
[1] 李金华,翟英娇,何浩文,石凯熙,徐铭泽. 一种基于富缺陷二硫化钼SERS基底的制备及其检测体液中葡萄糖的方法. 授权号：CN202311412888.5,2024-02-06.
[2] 李金华,王子恒,楚学影,石凯熙,翟英娇. 二维超表面结构MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法. 授权号：CN202311263999.4,2023-12-26.
[3] 李金华,王婉玉,石凯熙,翟英娇,姜振峰. 全空间尖端结构的等离子体增强型光电探测器的制备方法. 授权号：CN116722080A,2023-09-08.
[4] 李金华,王子恒,楚学影,石凯熙,翟英娇,徐铭泽. 一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法. 授权号：CN116344662B,2023-08-22.
[5] 李金华,王婉玉,石凯熙,楚学影,姜振峰. 一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法. 授权号：CN116190497B,2023-07-18.
